CMOS制作基本步骤

版图
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2011/8/23

把整条生产线浓缩成 14 张“脑内卡片”，画版图时随时对照，避免踩坑。

CMOS制作中主要步骤

0. 版图与工艺的对应关系 ​

Fab 区域做哪几步版图层示例
扩散区高温氧化/退火WELL、ACTIVE
光刻区图形定义POLY、METALx
刻蚀区图形转移POLY、CONT、VIA
离子注入区掺杂NIMP、PIMP
薄膜区淀积介电/金属VIAx、METALx
抛光区CMP 平坦化IMD 全局平坦

1~14 步流程总览 ​

步骤工艺动作版图关注点
1 双阱注入N-well / P-well 高能注入阱距、隔离环
2 浅槽隔离 STI刻槽+氧化+回填+CMPACTIVE 尺寸、STI 宽度
3 栅结构栅氧+Poly-Si 淀积+光刻/刻蚀POLY 最小线宽、栅-沟道缩进
4 LDD 注入轻掺杂浅结LDD-OD 间距
5 侧墙 SpacerCVD 二氧化硅+各向异性刻蚀Spacer 宽度=后续 S/D 到栅距
6 S/D 注入中等能量深结S/D OD 尺寸、与栅重叠
7 金属接触 Silicide自对准硅化钨CONT 尺寸、CONT-to-POLY 间距
8 局部互连 LI第一层钨线LI 线宽/间距
9~10 通孔1 + 金属1IMD1 → VIA1 → METAL1VIA1 覆盖、METAL1 最小线宽
11~13 上层金属/通孔重复 2~5 层METAL2~5、VIA2~5、压焊点
14 钝化 & 测试钝化层开窗、探针测试PAD 开口、测试结构

版图工程师一句话总结 ​

“画每一层前，先问自己：这一步工艺怎么影响图形尺寸、对准、覆盖？”
把 14 步流程贴在工位，画线时实时对照，DRC/LVS 一次过。

CMOS制作基本步骤的相关文章 ​

  1. CMOS制作步骤（一）：双阱工艺（twin well process）
  2. CMOS制作步骤（二）：浅槽隔离工艺STI(shadow trench isolation process)
  3. CMOS制作步骤（三）：多晶硅栅结构工艺(poly gate structural process)
  4. CMOS制作步骤（四）：轻掺杂漏注入工艺LDD（lightly doped drain implants process）
  5. CMOS制作步骤（五）：侧墙的形成（side wall spacer formation）
  6. CMOS制作步骤（六）：源/漏注入工艺（S/D implant process)
  7. CMOS制作步骤（七）：接触（孔）形成工艺（contact formation）
  8. CMOS制作步骤（八）：局部互连工艺LI（Local Interconnect process）
  9. CMOS制作步骤（九）：Via-1, Plug-1及Metal-1互连的形成（Via-1 and Plug-1 formation）
  10. CMOS制作步骤（十）：Via-2, Plug-2,Metal-2及Top Metal形成（Via-2,Plug-2,metal2 interconnect and top metal formation）