CMOS制作步骤（五）：侧墙的形成

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2011/8/6

两步搞定：CVD 淀积二氧化硅 + 各向异性干法刻蚀，无需掩膜即可在多晶硅栅两侧“自动”留下隔离侧墙。

1. 目的 ​

  • 阻挡大剂量源漏注入过于靠近沟道
  • 防止沟道过短或源漏穿通
  • 为后续 LDD / S/D 注入 提供自对准隔离

2. 工艺流程（仅 2 步） ​

步骤工艺关键参数 / 说明
1. 淀积CVD 二氧化硅整片覆盖，厚度 ≈ 几十 ~ 百 nm
2. 反刻各向异性干法刻蚀离子溅射，垂直速率 >> 侧向速率；
多晶硅顶面一旦露出即刻停止；
侧壁残留 ≈ 侧墙宽度

无需光刻掩膜：利用刻蚀的各向异性与多晶硅自身高度差，形成自对准侧墙。

3. 结果示意 ​

CMOS 侧墙形成示意

CMOS制作基本步骤的相关文章 ​

  1. CMOS制作步骤（一）：双阱工艺（twin well process）
  2. CMOS制作步骤（二）：浅槽隔离工艺STI(shadow trench isolation process)
  3. CMOS制作步骤（三）：多晶硅栅结构工艺(poly gate structural process)
  4. CMOS制作步骤（四）：轻掺杂漏注入工艺LDD（lightly doped drain implants process）
  5. CMOS制作步骤（五）：侧墙的形成（side wall spacer formation）
  6. CMOS制作步骤（六）：源/漏注入工艺（S/D implant process)
  7. CMOS制作步骤（七）：接触（孔）形成工艺（contact formation）
  8. CMOS制作步骤（八）：局部互连工艺LI（Local Interconnect process）
  9. CMOS制作步骤（九）：Via-1, Plug-1及Metal-1互连的形成（Via-1 and Plug-1 formation）
  10. CMOS制作步骤（十）：Via-2, Plug-2,Metal-2及Top Metal形成（Via-2,Plug-2,metal2 interconnect and top metal formation）