DDR – DDR2与DDR的区别
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2013/7/4
核心频率相同，DDR2 速度翻倍，但延迟更高；更低电压+FBGA 封装让它跑得更快、更凉、更稳。
1. 一句话速记
- DDR：2-bit 预取，2.5 V，TSOP，延迟低
- DDR2：4-bit 预取，1.8 V，FBGA，延迟高，带宽/功耗/散热全面优化
2. 技术对照表
| 维度 | DDR | DDR2 | 影响 |
|---|---|---|---|
| 预取深度 | 2 bit | 4 bit | 同核心频率下，DDR2 有效频率×2 |
| 典型电压 | 2.5 V | 1.8 V | 功耗 ↓30 %，发热 ↓ |
| 封装 | TSOP (长引脚) | FBGA (短焊球) | 高频阻抗↓，散热↑，突破 275 MHz 瓶颈 |
| 引脚数 | 184 | 240 | 物理不兼容 |
| 极限频率 | ~400 MHz 有效 | 533→800+ MHz 有效 | 带宽天花板↑ |
| 同频延迟 | 低 | 高 | DDR2-400 vs DDR-400：延迟更高但带宽持平 |
例：100 MHz 核心
- DDR → 200 MT/s，带宽 1.6 GB/s
- DDR2 → 400 MT/s，带宽 3.2 GB/s，但 tRCD 更长
3. DDR2 三项黑科技
| 技术 | 全称 | 作用 | 好处 |
|---|---|---|---|
| OCD | Off-Chip Driver | 校准 DQ/DQS 上下拉电阻，减少信号倾斜 | 信号完整性↑，主板成本↓ |
| ODT | On-Die Termination | 把终端电阻做进芯片内部 | 省掉主板终结电阻，降低反射 |
| Post CAS | Posted CAS | CAS 命令可插在 RAS 后一个周期，配合 Additive Latency (AL) | 避免 ACT & CAS 冲突，提高总线利用率 |
4. 购买/升级提醒
- 主板兼容性：DDR2 240 针，缺口位置与 DDR 184 针不同，不可混插。
- 延迟观感：日常应用带宽优势大于延迟劣势；对延迟敏感场景（部分游戏/服务器）需选低 tRCD 的 DDR2 条。
- 散热：1.8 V 本身发热低，但高频 DIMM 仍建议带散热片。
5. 小结
DDR2 = 用更高延迟换两倍预取、更低电压、更好封装，换来频率与功耗双赢。
随着工艺成熟，DDR2 的成本和延迟劣势被逐步消化，最终成为 2004-2009 年 PC/笔电的绝对主流。