半导体工艺中几种常见的光刻方法
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［＇光刻＇，＇曝光＇］
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2012/12/31
光刻是芯片制造的核心环节，不同的曝光方式决定了分辨率、良率和成本。本文用一张表带你快速看懂三种主流方案的差异与典型应用。
| 曝光方式 | 分辨率 | 掩膜损伤 | 量产良率 | 典型应用 |
|---|---|---|---|---|
| 接触式 Contact | ★★★★☆ 亚微米级 | ★☆☆☆☆ 直接接触易划伤 | ★☆☆☆☆ 易污染 | 实验室、MEMS原型、GaN功率器件小批量 |
| 接近式 Proximity | ★★☆☆☆ 受10–25 µm间隙衍射限制 | ★★★☆☆ 间隙减小损伤 | ★★☆☆☆ 间隙控制难 | 早期IC、厚胶工艺、低成本传感器 |
| 投影式 Projection | ★★★★★ 纳米级（EUV <5 nm） | ★★★★★ 无接触 | ★★★★★ 主流量产 | 逻辑/存储芯片、7 nm/5 nm先进节点 |
一句话总结
- 高精度研发 → 接触式
- 低成本小批量 → 接近式
- 大规模先进制程 → 投影式
目前投影式曝光（含i-line、KrF、ArF、EUV）已占据>95%的晶圆厂产能，是摩尔定律持续演进的关键推手。